UniDRON-Semi
型号：UniDRON-Semi
应用材料：Si Sic GaN GaAs InP LiTaO3 LiNbO3 等
应用市场：晶锭切片、晶圆切割、研磨、化学机械抛光 (CMP)、外延生长、薄膜沉积、蚀刻、离子注入、退火
多层Si Ge浓度分析 材料成分定性
晶体管结构制程 、多层硅锗合金浓度、 (谱峰强度分布) (谱峰位移分布) 蚀刻段原子级制程异物残留分析(芯片残留SiO2)(谱峰位置分布)
UniDRON-Semi功能：晶圆深层应力检测、 晶格类型解析/缺陷细析 、晶圆掺杂浓度 、材料成分定性鉴别 、材料结构变迁洞察。
运用技术：激光激发、共轭焦显微、光谱采集、荧光过滤、数据处理、谱峰解析、物理量计算、成像映射、数据验证。
亮点：1.具备非破坏快速深层应力分布检测、原子级制程残留物分析、掺杂浓度分析（Al Mg SIGe）
2.无损快速精准测量表层、中层、深层应力分布，并可输出三维立体应力分布分析报告。整片Wafer或晶锭（晶棒），
Mapping900点<20分钟。
