UniDron EFEM-Semi

                                                     圆深度多层应力                                                                                                               晶圆掺杂浓度

    薄膜沉积制程 、(压缩应力正值) 、(拉伸应力负值) 、(谱峰位移分布)                                  双层铝离子注入制程 (铝掺杂值) (谱峰强度分布)(谱峰位移分布)

                        晶体晶格缺陷                                                                                   材料成分定性