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2018年突破7/5nm FinFET应力与浓度分析技术 |
| 发布者：上海景鸿科谱光电科技有限公司 发布时间：2025-07-16 10:02:53 点击次数：67 关闭 |
 2018年突破7/5nm FinFET应力与浓度分析我们公司创新研发的专利级共轭焦光学设计技术，该技术通过对共轭焦光学系统的深度优化，突破了传统光学的衍射极限，能够实现对 7nm 节点 FinFET 栅极应力分布的高分辨率解析。其利用独特的光学层析与空间滤波机制，仅收集来自焦平面的反射光信号，有效抑制了焦平面外散射光的干扰，从而显著提升了系统的信噪比和分辨率。在实际应用中，该技术可精确测绘出 FinFET 结构中三维纳米级应力场的详细分布，为工程师提供了极为精准的应力数据，助力他们深入理解应力在复杂结构中的传递与影响机制。 该先进技术已在台湾某知名头部半导体企业的生产流程中得到成功应用，并取得了显著成效。 |
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