技术突破3nm GAA SiGE和2nm GAA SiGE应力与浓度分析

       2020 年，我司科研团队凭借创新设计的可变角度激发光路系统，在 3nm GAA SiGE 应力与浓度分析上取得重要成果。该系统实现了从材料表面到深层区域的三维浓度精准解析，突破了传统检测在深度和精度上的局限。目前，这项技术已成功应用于台湾地区知名头部半导体企业的实际生产场景，显著提升了生产过程中的质量把控与工艺优化水平。

     时隔两年，2022 年，团队再次发力，采用先进的共振拉曼散射技术，实现了 2nm GAA SiGE 浓度分析的重大进展。该技术将残留物检测极限大幅提升至 zeptomole 级别，达到了前所未有的检测精度。同样，这一技术也在台湾知名头部半导体企业完成应用落地，为先进制程工艺提供了不可或缺的关键技术支持，有力推动了半导体制造向更高精度、更先进制程迈进。这两项技术突破不仅彰显了科研团队的强大创新实力，也为半导体行业的发展带来新的希望与可能，有望加速推动半导体技术的迭代升级 。