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UniDron-Semi

發佈者：上海景鴻科譜光電科技有限公司發佈時間：2025-06-24 11:29:18 點擊次數：35 關閉

圓深度多層應力晶圓摻雜濃度

薄膜沉積制程、(壓縮應力正值) 、(拉伸應力負值) 、(譜峰位移分佈) 雙層鋁離子注入制程 (鋁摻雜值)(譜峰強度分佈)(譜峰位移分佈)

晶體晶格缺陷材料成分定性

襯底堆疊層錯(譜峰FWHM分佈) 蝕刻制程異物(晶片殘留SiO2)(譜峰位置分佈)

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