UniDron EFEM-Semi

                     圓深度多層應力                                                                            晶圓摻雜濃度

薄膜沉積制程 、(壓縮應力正值) 、(拉伸應力負值) 、(譜峰位移分佈)                 雙層鋁離子注入制程 (鋁摻雜值)(譜峰強度分佈)(譜峰位移分佈)

                  晶體晶格缺陷                                                                 材料成分定性

                                           襯底堆疊層錯(譜峰FWHM分佈)                                          蝕刻制程異物(晶片殘留SiO2)(譜峰位置分佈)