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    發佈者:上海景鴻科譜光電科技有限公司 發佈時間:2025-06-24 10:47:09 點擊次數:21 關閉

                          

                                                 材料結構變化                                                                                                 材料結構變化 

                     晶圓切割制程 (譜峰位置分佈) (化學鍵斷裂分解為Si和C) (高溫析出過量Si和C)                                                  電晶體結構制程 、多層矽鍺合金濃度、

                                                                                                                                                                                              (譜峰強度分佈) (譜峰位移分佈)            


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