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                                                                              Changes in material structure                                                                            Specific layer concentration of wafer

                                                            Wafer cutting process (peak position distribution)                                                                Transistor structure process, 

                                                         (chemical bond breaking and decomposition into Si and C)                                 multi-layer silicon germanium alloy concentration, 

                                                        (excessive precipitation of Si and C at high temperature)                                      (peak intensity distribution) (peak shift distribution)

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