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UniDRON-Semi |
| 发布者:上海景鸿科谱光电科技有限公司 发布时间:2025-07-18 14:43:09 点击次数:154 关闭 |
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型号:UniDRON-Semi
多层Si Ge浓度分析 材料成分定性
晶体管结构制程 、多层硅锗合金浓度、 (谱峰强度分布) (谱峰位移分布) 蚀刻段原子级制程异物残留分析(芯片残留SiO2)(谱峰位置分布)
UniDRON-Semi功能:晶圆深层应力检测、 晶格类型解析/缺陷细析 、晶圆掺杂浓度 、材料成分定性鉴别 、材料结构变迁洞察。
运用技术:激光激发、共轭焦显微、光谱采集、荧光过滤、数据处理、谱峰解析、物理量计算、成像映射、数据验证。 亮点:1.具备非破坏快速深层应力分布检测、原子级制程残留物分析、掺杂浓度分析(Al Mg SIGe) 2.无损快速精准测量表层、中层、深层应力分布,并可输出三维立体应力分布分析报告。整片Wafer或晶锭(晶棒), Mapping900点<20分钟。
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