logo選單

    Inline- Apcrs

                          

                                                 材料結構變化                                                                                                 材料結構變化 

                     晶圓切割制程 (譜峰位置分佈) (化學鍵斷裂分解為Si和C) (高溫析出過量Si和C)                                                  電晶體結構制程 、多層矽鍺合金濃度、

                                                                                                                                                                                              (譜峰強度分佈) (譜峰位移分佈)            


  • 上一个产品: UniDron-Semi
  • 下一个产品: UniDron EFEM-Semi