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晶圓切割制程 (譜峰位置分佈) (化學鍵斷裂分解為Si和C) (高溫析出過量Si和C) 電晶體結構制程 、多層矽鍺合金濃度、
(譜峰強度分佈) (譜峰位移分佈)
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