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2018年突破7/5nm FinFET應力與濃度分析 |
| 發佈者：上海景鴻科譜光電科技有限公司 發佈時間：2025-07-16 10:25:12 點擊次數：14 關閉 |
2018年突破7/5nm FinFET應力與濃度分析 我司創新研發的專利級共軛焦光學設計技術，該技術通過對共軛焦光學系統的深度優化，巧妙地突破了傳統光學的衍射極限，能夠實現對 7nm 節點 FinFET 柵極應力分佈的高解析度解析。其利用獨特的光學層析與空間濾波機制，僅收集來自焦平面的反射光信號，有效抑制了焦平面外散射光的干擾，從而顯著提升了系統的信噪比和解析度。在實際應用中，該技術可精確測繪出 FinFET 結構突破7/5中三維納米級應力場的詳細分佈，為工程師提供了極為精准的應力數據，助力他們深入理解應力在複雜結構中的傳遞與影響機制。該先進技術已在臺灣某知名頭部半導體企業的生產流程中得到成功應用，並取得了顯著成效。 |
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